تراشههاي ۳ نانومتري از سال ۲۰۲۲ توليد ميشوند
امسال شركت TSMC با استفاده از فناوري گره تراشههاي ۵ نانومتري خود را توليد كرد. اولين گوشيهاي هوشمند كه با تراشه ۵ نانومتري ساخته شدند، سري Apple iPhone 12 بودند كه از چيپست A14 Bionic بهره ميبرد. شركت اپل همچنين اين تراشه را در iPad Air به كار برده است. تراكم ترانزيستور ۵ نانومتريA14 Bionic ، ۱۳۴ ميليون ترانزيستور در هر ميليمتر مربع است؛ در مقابل تراكم ترانزيستوري در ۷ نانومتري A13 Bionic تعداد ۸۹/۹۷ ميليون در هر ميليمتر مربع است. تعداد ترانزيستور براي A14 Bionic تعداد ۱۱/۸ ميليارد است كه در A13 Bionic مقدار آن ۸/۵ ميليارد ترانزيستور است. ترانزيستورهاي اضافي موجود در A14 Bionic آن را به يك عملكرد قدرتمندتر و داراي انرژي بيشتر نسبت به A13 Bionic تبديل ميكند.
تراشه A16 Bionic اولين تراشه ساخته شده در گره فرآيندي ۳ نانومتريتوليدكنندگان تلفنهاي اندرويدي تراشههاي ۵ نانومتري خود را براي استفاده با Snapdragon 888 يا Exynos 2100 توليد ميكنند. هر دو با استفاده از گره ۵ نانومتري و توسط Samsung Foundry توليد ميشوند. سري جديد Galaxy S21 سامسونگ بسته به منطقهاي كه دستگاه از آن خريداري شده تراشه متفاوت خواهد داشت. در همين حال Digitimes امروز گزارش داد كه TSMC توليد تراشههاي ۳ نانومتري خود را از نيمه دوم سال جاري آغاز ميكند. مدير عامل TSMC CC Wei گفت: توسعه فناوري N3 ما پيشرفت خوبي دارد. ما شاهد سطح بالاتري از جذب مشتري براي HPC و برنامه تلفنهاي هوشمند در N3 در مقايسه با N5 هستيم. اگر TSMC اين راه را ادامه بدهد، بايد شاهد باشيم كه آيفون ۱۴ اولين گوشيهاي اپل است كه از تراشههايي با گره فرآيند ۳ نانومتري بهره ميبرند. اولين تراشه A16 Bionic خواهد بود. در ماه نوامبر گذشته TSMC تراشه ۳ نانومتري خود در پارك علمي جنوب تايوان تكميل كرد. شركت TSMC در ابتدا قصد داشت توليد آزمايشي ۳ نانومتري را در پايان سال ۲۰۲۰ آغاز كند، اما شيوع بيماري كرونا، TSMC را مجبور كرد تا يك سال اين پروژه را عقب بيندازد.
پيچيدگي فناوري مورد نياز براي ساخت تراشههاي ۳ نانومتري يكي از دلايل هزينه زياد آنها است. الگوهايي وجود دارد كه محل قرارگيري ترانزيستورها درون تراشه را تعيين ميكنند. با توجه به اينكه ميلياردها ترانزيستور در هر تراشه استفاده ميشود، اين خطوط بايد تا حد ممكن نازك باشند. اينجا است كه دستگاه ليتوگرافي EUV وارد عمل ميشود. شركت TSMC براي تراشههاي ۳ نانومتري خود از ترانزيستورهاي FinFET استفاده ميكند. اين در حالي است كه سامسونگ از GAA استفاده ميكند. براي توليد تراشههاي ۲ نانومتري، TSMC از طرح GAA استفاده خواهد كرد. گزارش شده است كه سامسونگ براي توسعه مدارهاي ۳ نانومتري خود تقريبا ۱۱۶ ميليارد دلار هزينه كرده است. ميتوان توليد انبوه تراشههاي ۲ نانومتري را از اوايل سال ۲۰۲۴ شاهد بود.
منبع :yjc.ir
برچسب: ،